SK海力士公布第8代3D NAND闪存:堆叠层数超过300层,性能提高18%

日期:2023-04-15 21:37 | 人气:

近日,SK海力士在ISSCC 2023会议上公布了在3D NAND闪存开发方面的最新突破。SK海力士表示,一支由35名工程师组成的团队为这次演示的材料做出了贡献,带来了一款堆叠层数超过300层的新型3D NAND闪存原型。

据TechPowerup介绍,这是SK海力士第8代3D NAND闪存,容量为1Tb(128GB),具有三级单元(TLC)和超过20Gb/mm^2的位密度(bit density)。该芯片的页容量(page size)为16KB,拥有四个planes,接口传输速率为2400MT / s,最高吞吐量为194MB/s(相比第7代238层3D NAND闪存提高了18%)。密度的提升将降低制造过程中每tb的成本,终端消费者最终能从性能和容量的提升中受益。

据SK海力士介绍,第8代3D NAND闪存主要运用了五个方面的技术,包括引入三重验编程(TPGM)功能,可缩小电池阈值电压分布,将tPROG减少10%,从而提高性能;自适应未选字符串预充电(AUSP),另一种将tPROG降低约2%的方法;编程虚拟串(PDS)技术,降低通道电容负载来缩短tPROG和tR的世界线建立时间;平面级读取重试(PLRR)功能,允许在不终止其他平面的情况下改变平面的读取级别,从而立即发出后续读取命令,最终提高了服务质量(QoS)和读取性能。

SK海力士没有提供第8代3D NAND闪存的时间表,有行业人士估计,可能要等到2024年末或2025年某个时候才会上市。与此同时,SK海力士的第7代238层3D NAND闪存预计将被整合到2023年推出的新款闪存产品的生产周期里。

旋转小火锅定制流程

免费咨询

提供图纸

免费设计

免费报价

无忧安装

终身维护

平台注册入口